光伏硅片作为电池片的关键基底，其品质直接决定电池片效率表现。近十多年来，电池片技术不断突破，硅片技术发展却多年未有实质性重大创新突破，只在尺寸大小上做文章，产品同质化愈发明显 。新一代异质结、BC 等高效 N 型电池对硅片制备提出新的要求，传统硅片产品制备过程使用 RCZ 拉晶技术，由于分凝效应的存在，生长完成的硅单晶体纵向掺杂元素浓度并不能保持一致，随着硅棒棒长逐步增加硅棒电阻率、少子寿命逐步降低且分布差异越来越广，电阻率均匀性差极大程度影响下游光伏电池及组件转化效率提升，导致电池转换效率分布过宽、低效比例增大等问题，故传统拉晶过程主要通过牺牲减短拉晶棒长来实现晶棒电阻率收窄；CCZ 技术作为拉晶的终极方向，重点目的即为解决上述问题，但基于热场纯度难度过大、双坩埚氧高问题无法解决、工艺稳定性差等问题，一直未有大规模应用及技术突破。故研究开发一种适用于多种电池路线，电阻集中度高，吸杂效果好，机械性能更优让电池的大生产下的产出效率分布向高档位迁移以及终端可靠性强的硅片意义重大。