应用于1.6T光模块、AI超算、半导体基板 及封装等高性能绝缘导热与第四代超宽禁带半导体场景，全 球规模超万亿元。当前高性能导热氮化铝价格是氧化铝35倍且无法量产，传统工艺成本高(>200元／kg)、纯度低， 无法工业化量产5N级粉体。本项目首创“气泡法“新技术， 借鉴转炉底吹原理在铝液中底吹氮气原位生成氮化铝，综合 成本直降80％至3050元／kg，全球唯一可工业化量产5N级（>99. 999% ）粉体， 氧含量低至 0. 001% ， 能耗降 90% 。 该技突破欧美 ” 卡脖子 “，将氮化铝市场扩大十倍以上， 助力我国成为新一代半导体材料强国。 进展方面：巳获5项发明专利、 1项实用新型， 工业化中试结束即将投产， 已为多家下游送刻， 本期建设年产 100 吨产线。