原位合成ALN/AL电子封装材料技术

发布时间:2024-01-03 来源:鄂尔多斯科技成果转化平台
  • 持有单位:西安科技大学
  • 联系方式:15229365531
  • 技术应用领域:能源
  • 技术成熟度:中试
  • 转让方式:技术转让
  • 对接方:鄂尔多斯科技成果转化平台
  • 成果状态:成果发布
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成果介绍

所属领域:材料科学与工程

成果简介:

1.成果的基本情况

西安科技大学自2007年开始就对电子封装材料制备技术开始研究,目前已经开发出AlN/AlSiC/Al系列电子封装材料制备技术。涉及原位合成、无压浸渗、热压烧结等多种制备方法。本项成果为一种原位合成AlN/Al电子封装材料技术,目前此项技术已获批国家发明专利1项。

2.主要技术特点

所制备的AlN/Al复合材料中AlN为原位合成,与金属Al具有很好的界面结合;原料来源广、价格便宜,AlN的体积分数可以通过NH4Cl的添加量来控制;本技术所制备的AlN/Al电子封装材料的热导率高,热膨胀系数与Si接近,完全能够满足电子封装的要求。

3.应用范围

该项成果主要应用于电子封装材料技术领域。

4.市场需求及经济效益分析

自从1958年发明的第一块集成电路以来,电子封装就成为现代集成电路产业三大支柱之一。在国内,由于半导体技术相对于发达国家较为落后,所以集成电路产业基本是从集成电路封装开始的,目前电子封装销售额在国家整个集成电路产业中占有70%的份额。

合作方式:专利权转让 合作开发

联系方式:

电话:15229365531728

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