面向半导体芯片制造中的干法/湿法刻蚀工艺环节，针对刻蚀速率、刻蚀选择性、侧壁形貌控制、等离子体对材料（Si、SiO₂、SiN、低k介质、金属等）表面损伤等关键问题，提供原子尺度的刻蚀过程模拟服务。基于MLFF力场模拟刻蚀气体（如CF₄、CHF₃、Cl₂、HBr等）等离子体与晶圆表面的碰撞、反应、溅射及副产物脱附全过程，预测不同工艺参数（气压、功率、气体配比、衬底温度）下的刻蚀轮廓与表面缺陷演变，帮助材料R&D部门在新工艺开发阶段快速筛选气体配方和工艺窗口，减少实验试错成本。意向对接本地半导体材料/芯片制造企业的工艺研发部门，以及相关高校微电子课题组。